JANTXV2N2219A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2219A概述

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/251

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-39

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N2219A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N2219A

型号： JANTXV2N2219A

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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替代型号JANTXV2N2219A

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