JAN1N5811US

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JAN1N5811US概述

Diode Switching 150V 6A 2Pin E-MELF

This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated.  The industry-recognized 6.0 amp rated rectifiers with working peak reverse voltages from 50 to 150 volts are hermetically sealed with void-less glass construction using an internal _“Category 1”_ metallurgical bond.  These devices are available in both leaded and surface mount MELF package configurations. also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time requirements including standard, fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.

JAN1N5811US中文资料参数规格
技术参数

正向电压 875mV @4A

反向恢复时间 30 ns

正向电流 6000 mA

正向电压Max 875mV @4A

正向电流Max 6 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 E-MELF

外形尺寸

封装 E-MELF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN1N5811US
型号: JAN1N5811US
描述:Diode Switching 150V 6A 2Pin E-MELF
替代型号JAN1N5811US
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN1N5811US

Microsemi 美高森美

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1N5811CBUS

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完全替代

JAN1N5811US和1N5811CBUS的区别

JANS1N5811US

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JAN1N5811US和JANS1N5811US的区别

1N5811US-TR

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