JANTX2N930

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JANTX2N930概述

TO-18 NPN 45V 0.03A

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANTX2N930中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.03A

最小电流放大倍数hFE 100 @10µA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N930
型号: JANTX2N930
描述:TO-18 NPN 45V 0.03A
替代型号JANTX2N930
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N930

Microsemi 美高森美

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完全替代

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