JANTX2N2906AUB参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N2906AUB概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Surface Mount UB

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin UB Waffle

JANTX2N2906AUB中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N2906AUB

型号： JANTX2N2906AUB

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N2906AUB