JAN1N3595US

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JAN1N3595US中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1 V

反向恢复时间 3000 ns

正向电流 150 mA

正向电流Max 0.15 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4.57 mm

封装 DO-35-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JAN1N3595US
型号: JAN1N3595US
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF
替代型号JAN1N3595US
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN1N3595US

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

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美高森美

完全替代

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