JANTX2N5582参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N5582概述

TO-46 NPN 50V 0.8A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-46

JANTX2N5582中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N5582

型号： JANTX2N5582

描述：TO-46 NPN 50V 0.8A

替代型号JANTX2N5582