JAN2N2219参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2219概述

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/251

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

JAN2N2219中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N2219

型号： JAN2N2219

描述：NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2219