JANTXV2N2484参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2484概述

TO-18 NPN 60V 0.05A

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N2484中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N2484

型号： JANTXV2N2484

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-18 NPN 60V 0.05A

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替代型号JANTXV2N2484

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