JANTX2N720A

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JANTX2N720A概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N720A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N720A
型号: JANTX2N720A
描述:NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTX2N720A
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