JANTXV2N3485A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3485A概述

TO-46 PNP 60V 0.6A

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 400mW Through Hole TO-46 TO-206AB

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-46 Bag

JANTXV2N3485A中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JANTXV2N3485A

描述：TO-46 PNP 60V 0.6A

替代型号JANTXV2N3485A