JANTXV2N2369AUB

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JANTXV2N2369AUB概述

UB NPN 15V

This specially engineered NPN GP BJT from comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4.5 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 4.5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTXV2N2369AUB中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: JANTXV2N2369AUB
描述:UB NPN 15V
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