JANTX2N918

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JANTX2N918概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

With this RF amplifier from your circuit will be operating at high RF frequencies. This product"s minimum DC current gain is 10@0.5mA@10 V|20@3mA@1V|20@10mA@10V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.4@1mA@10mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N918中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

输入电容 2 pF

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-72

外形尺寸

封装 TO-72

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N918
型号: JANTX2N918
描述:NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTX2N918
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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