JANTXV2N3439L

JANTXV2N3439L图片1
JANTXV2N3439L概述

Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA
.
* ** packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
JANTXV2N3439L中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 350 V

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N3439L
型号: JANTXV2N3439L
描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5
替代型号JANTXV2N3439L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N3439L

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N3439L

美高森美

完全替代

JANTXV2N3439L和2N3439L的区别

JANTX2N3439L

美高森美

完全替代

JANTXV2N3439L和JANTX2N3439L的区别

JANS2N3439L

美高森美

完全替代

JANTXV2N3439L和JANS2N3439L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台