JAN2N5666S参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5666S概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-39 TO-205AD

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag

JAN2N5666S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N5666S

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JAN2N5666S