JAN2N5415参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5415概述

PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

This family of 2N5415 and 2N5416 epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications. These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA packaging.

艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag

JAN2N5415中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N5415

型号： JAN2N5415

制造商： Microsemi 美高森美

描述：PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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替代型号JAN2N5415

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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