JAN2N697参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N697概述

NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 600mW Through Hole TO-5

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag

JAN2N697中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N697

型号： JAN2N697

描述：NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JAN2N697