JANTX2N5237

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JANTX2N5237概述

Trans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5

This NPN general purpose bipolar junction transistor from is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 10 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 120 V and a maximum emitter base voltage of 10 V.

JANTX2N5237中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

最小电流放大倍数hFE 40 @5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

高度 6.6 mm

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTX2N5237
型号: JANTX2N5237
描述:Trans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5
替代型号JANTX2N5237
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N5237

Microsemi 美高森美

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2N5237S

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完全替代

JANTX2N5237和2N5237S的区别

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