JANTXV2N3741参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3741概述

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 4A 25W Through Hole TO-66 TO-213AA

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin2+Tab TO-66

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin2+Tab TO-66

JANTXV2N3741中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3741

型号： JANTXV2N3741

描述：PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N3741

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTXV2N3741 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N3740 Central Semiconductor	功能相似	JANTXV2N3741和2N3740的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

JANTXV2N3741

Microsemi 美高森美

当前型号

2N3740

Central Semiconductor

功能相似