JANTX2N3740

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JANTX2N3740概述

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Implement this PNP GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 25000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N3740中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N3740
型号: JANTX2N3740
描述:PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTX2N3740
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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