JANTXV2N3635参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3635概述

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 140V 1A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N3635中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 140 V

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3635

型号： JANTXV2N3635

描述：PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N3635