JAN2N5238参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5238概述

Trans GP BJT NPN 170V 10A 3Pin TO-5

Bipolar BJT Transistor NPN 170V 10A 1W Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT NPN 170V 10A 3-Pin TO-5

JAN2N5238中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 170 V

最小电流放大倍数hFE 40 @5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N5238

描述：Trans GP BJT NPN 170V 10A 3Pin TO-5

替代型号JAN2N5238