JANTX2N3637UB参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3637UB概述

Trans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin UB

Bipolar BJT Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount 3-SMD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 4-Pin Case UB Waffle

Verical:
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 4-Pin Case UB Waffle

JANTX2N3637UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 175 V

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JANTX2N3637UB

描述：Trans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin UB