JANTXV2N5666参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5666概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag

JANTXV2N5666中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N5666

型号： JANTXV2N5666

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N5666