JANTX2N2605

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JANTX2N2605概述

Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANTX2N2605中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46

外形尺寸

封装 TO-46

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N2605
型号: JANTX2N2605
描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46
替代型号JANTX2N2605
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N2605

Microsemi 美高森美

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