Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
得捷: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
艾睿: Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 6
封装 TO-78-6
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册