JANTXV2N3767

JANTXV2N3767图片1
JANTXV2N3767概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 4A 25W Through Hole TO-66


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray


JANTXV2N3767中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 5V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3767
型号: JANTXV2N3767
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N3767
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N3767

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N3766LEADFREE

Central Semiconductor

功能相似

JANTXV2N3767和2N3766LEADFREE的区别

2N3767LEADFREE

Central Semiconductor

功能相似

JANTXV2N3767和2N3767LEADFREE的区别

SDT5906

Solitron Devices

功能相似

JANTXV2N3767和SDT5906的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台