JAN2N3766

JAN2N3766中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JAN2N3766
型号: JAN2N3766
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N3766
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N3766

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N3767

Semelab

功能相似

JAN2N3766和2N3767的区别

2N3766LEADFREE

Central Semiconductor

功能相似

JAN2N3766和2N3766LEADFREE的区别

2N3767LEADFREE

Central Semiconductor

功能相似

JAN2N3766和2N3767LEADFREE的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台