JANTXV2N3501UB

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JANTXV2N3501UB概述

Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB

This 2N3501 epitaxial planar transistor is military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  This device is also available in thru hole TO-5 and TO-39 packaging as well as a low profile U4 surface mount.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JANTXV2N3501UB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N3501UB
型号: JANTXV2N3501UB
描述:Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB
替代型号JANTXV2N3501UB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N3501UB

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N3501UB

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完全替代

JANTXV2N3501UB和JANTX2N3501UB的区别

2N3501UB

美高森美

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JANTXV2N3501UB和2N3501UB的区别

JANS2N3501UB

美高森美

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