JANTXV2N5237参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5237概述

Trans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5

Bipolar BJT Transistor NPN 120V 10A 1W Through Hole TO-5

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag

JANTXV2N5237中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

最小电流放大倍数hFE 40 @5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N5237

型号： JANTXV2N5237

描述：Trans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5

替代型号JANTXV2N5237