JAN2N3767

JAN2N3767概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 4A 25W Surface Mount TO-66 TO-213AA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin2+Tab TO-66


JAN2N3767中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 5V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N3767
型号: JAN2N3767
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N3767
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