JAN2N3867参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

JAN2N3867图片1

JAN2N3867中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N3867

型号： JAN2N3867

制造商： Microsemi 美高森美

描述：硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

替代型号JAN2N3867

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N3867 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N3867S 美高森美	完全替代	JAN2N3867和JANTX2N3867S的区别
JANTXV2N3867S 美高森美	类似代替	JAN2N3867和JANTXV2N3867S的区别
2N3867S 美高森美	类似代替	JAN2N3867和2N3867S的区别