JANTXV2N3766

JANTXV2N3766中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 5V

额定功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3766
型号: JANTXV2N3766
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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