JANS2N2907A

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JANS2N2907A概述

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin TO-18

s brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

JANS2N2907A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANS2N2907A
型号: JANS2N2907A
制造商: Semicoa Semiconductor
描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin TO-18
替代型号JANS2N2907A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Semicoa Semiconductor

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