JAN2N3879

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JAN2N3879概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 75V 7A 35W Through Hole TO-66 TO-213AA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray


Verical:
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray


JAN2N3879中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35 W

击穿电压集电极-发射极 75 V

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 5V

额定功率Max 35 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N3879
型号: JAN2N3879
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N3879
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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