JANTXV2N5680参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5680概述

TO-39 PNP 120V 1A

FEATURES: ? NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/580

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N5680中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @250mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JANTXV2N5680

描述：TO-39 PNP 120V 1A