JANTXV2N3868S参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3868S概述

硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 3A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N3868S中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3868S

型号： JANTXV2N3868S

描述：硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

替代型号JANTXV2N3868S