JANTX2N3868

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JANTX2N3868概述

硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N3868中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

数据手册

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型号: JANTX2N3868
描述:硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors
替代型号JANTX2N3868
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JANTX2N3868

Microsemi 美高森美

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完全替代

JANTX2N3868和JANTX2N3868S的区别

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