JAN2N3715参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N3715概述

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 10A 5W Through Hole TO-3 TO-204AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 5000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

JAN2N3715中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5000 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @3A, 2V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N3715

描述：NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N3715