JAN2N6052

JAN2N6052图片1
JAN2N6052概述

达林顿晶体管 Power BJT

This high speed PNP transistor is rated at 12 amps and is military qualified per MIL-PRF-19500/501 up to a JANTXV level.  This TO-204AA isolated package features a 180 degree lead orientation.


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin2+Tab TO-3


JAN2N6052中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N6052
型号: JAN2N6052
描述:达林顿晶体管 Power BJT
替代型号JAN2N6052
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