JANTXV2N6989参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N6989概述

TO-116 NPN 50V 0.8A

Bipolar BJT Transistor Array 4 NPN Quad 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 1500mW 14-Pin TO-116 Tube

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 1500mW 14-Pin TO-116 Tube

JANTXV2N6989中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 TO-116

外形尺寸

封装 TO-116

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N6989

型号： JANTXV2N6989

描述：TO-116 NPN 50V 0.8A

替代型号JANTXV2N6989