JANTXV2N6250

JANTXV2N6250概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/510


得捷:
TRANS NPN 275V 10A TO-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 275V 10A 3-Pin2+Tab TO-3


JANTXV2N6250中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 275 V

最小电流放大倍数hFE 8 @10A, 3V

额定功率Max 6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号: JANTXV2N6250
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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