JANTXV2N5682参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5682概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT

FEATURES: ? NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/580

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N5682中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JANTXV2N5682

型号： JANTXV2N5682

制造商： Microsemi 美高森美

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT

替代型号JANTXV2N5682