JANTX2N3716参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3716概述

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 10A 5W Through Hole TO-204AA TO-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 5000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin2+Tab TO-3

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 5000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

JANTX2N3716中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @3A, 2V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N3716

型号： JANTX2N3716

描述：NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N3716