JANTXV2N2920U

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JANTXV2N2920U概述

Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U

has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N2920U中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N2920U
型号: JANTXV2N2920U
描述:Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U
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