JANS2N3501UB

JANS2N3501UB图片1
JANS2N3501UB图片2
JANS2N3501UB图片3
JANS2N3501UB概述

NPN 150V 0.3A

This 2N3501 epitaxial planar transistor is military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  This device is also available in thru hole TO-5 and TO-39 packaging as well as a low profile U4 surface mount.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JANS2N3501UB中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.3A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Case

外形尺寸

封装 Case

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JANS2N3501UB
型号: JANS2N3501UB
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN 150V 0.3A
替代型号JANS2N3501UB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N3501UB

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N3501UB

美高森美

完全替代

JANS2N3501UB和JANTX2N3501UB的区别

2N3501UB

美高森美

完全替代

JANS2N3501UB和2N3501UB的区别

JANTXV2N3501UB

美高森美

完全替代

JANS2N3501UB和JANTXV2N3501UB的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台