JANS2N3635

JANS2N3635中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JANS2N3635
型号: JANS2N3635
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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