JAN2N1890

JAN2N1890中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: JAN2N1890
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N1890
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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