JAN2N6350参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6350概述

NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

This high speed NPN transistor is military qualified up to the JANTXV level. This TO-33 leaded top-hat has three isolated terminals with terminal four, the collector terminal, tied to the case.

艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 Box

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 5A 4-Pin TO-33

Verical:
Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 Box

JAN2N6350中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 2000 @5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-33

外形尺寸

封装 TO-33

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N6350

型号： JAN2N6350

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

立即咨询

替代型号JAN2N6350

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N6350 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N6350 美高森美	完全替代	JAN2N6350和JANTX2N6350的区别
JANTXV2N6350 美高森美	完全替代	JAN2N6350和JANTXV2N6350的区别
2N6350 美高森美	完全替代	JAN2N6350和2N6350的区别