JANTXV2N5153U3参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5153U3概述

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

贸泽:
MOSFET Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin Case U-3 Tray

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin Case U-3 Tray

JANTXV2N5153U3中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTXV2N5153U3

型号： JANTXV2N5153U3

制造商： Microsemi 美高森美

描述：PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR