JANTXV2N2060参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2060概述

规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/270

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag

JANTXV2N2060中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N2060

型号： JANTXV2N2060

描述：规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N2060